IPI200N15N3 G 全國供應商、價格、PDF資料
IPI200N15N3 G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫歐 @ 50A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 90µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1820pF @ 75V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:PG-TO262-3
- 包裝:管件
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM24H/AE24G/X
- IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 650V 120A TO-3P
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30H/AE30G/X
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AL,DO-41,軸向 DIODE 1A 1600V STD SMC
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM34H/AE34G/X
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015W/H1500TR 4"
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等距 SB MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB
- 按鈕 C&K Components 模塊 SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM34H/AE34G/X
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
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